Описание элементной базы

Серия К155 [1],[2],[8],[9] изготовляется на основе ТТЛ - технологии (транзисторно-транзисторной логики). При изготовлении применяются биполярные транзисторы и многоэмиттерный транзистор на входе логического элемента. Эта технология позволяет получить высоконадежные микросхемы среднего быстродействия. Выпускаются в пластмассовых корпусах.

Основные элементы обозначения отечественных микросхем:

. Буква К обозначает микросхемы широкого применения, для микросхем военного назначения буква отсутствует;

. Тип корпуса микросхемы (один символ) - может отсутствовать. Например, Р - пластмассовый корпус, М - керамический, Б - бескорпусная микросхема;

. Номер серии микросхем (от трех до четырех цифр);

. Функция микросхемы (две буквы);

. Номер микросхемы (от одной до трех цифр).

Микросхемы серии К155ЛА4 (рисунок 4.2 [2;62]) выполняют логическую функцию И-НЕ. В одном корпусе размещается один сложный элемент, состоящий из трех простых 3И-НЕ. Имеют единую шину питания - вывод 14, общую шину - вывод

Назначение выводов микросхемы:

Ø 1, 2, 3, 4, 5, 9, 10, 11, 13 - логические входы элементов;

Ø 6, 8, 12 - выходы логических элементов;

Ø 7 - общий;

Ø 14 - напряжение питания.

Рисунок 4.2 - Микросхема К155ЛА4

Микросхемы серии К155ЛА3 (рисунок 4.1[2; 62]) выполняют логическую функцию И-НЕ. В одном корпусе размещается один сложный элемент, состоящий из четырех простых 2И-НЕ. Имеют единую шину питания - вывод 14, общую шину - вывод 7.

Назначение выводов микросхемы:

Ø 1, 2, 4, 5, 9, 10, 12, 13 - логические входы элементов;

Ø 3, 6, 8, 11 - выходы логических элементов;

Ø 7 - общий;

Ø 14 - напряжение питания.

Рисунок 4.1 - Микросхема К155ЛА3

Микросхема К155ЛА1 (рисунок 4.5 [2; 61]) представляет собой два логических элемента 4И-НЕ.

Назначения входов микросхемы:

Ø 1, 2, 4, 5, 9, 10, 12, 13 - логические входы элементов;

Ø 6, 8 - выходы логических элементов;

Ø 7 - общий;

Ø 14 - напряжение питания.

Рисунок 4.5 - Микросхема К155ЛА1

Электрические параметры микросхем К155ЛА1, К155ЛА3, К155ЛА4, [2], [9] показаны в таблице 2.

Таблица 2 - Параметры микросхем К155ЛА1, К155ЛА3, К155ЛА4,

Параметр

К155ЛА1

К155ЛА3

К155ЛА4

Номинальное напряжение питания

5В ± 5%

5В ± 5%

5В ± 5%

Выходное напряжение низкого уровня

не более 0,4В

не более 0,4В

не более 0,4В

Выходное напряжение высокого уровня

не менее 2,4В

не менее 2,4В

не менее 2,4В

Напряжение на антизвонном диоде

не менее -1,5В

не менее -1,5В

не менее -1,5В

Помехоустойчивость

не более 0,4 В

Входной ток низкого уровня

не более -1,6мА

не более -1,6мА

не более -1,6мА

Входной ток высокого уровня

не более 0,04 мА

не более 0,04 мА

не более 0,04 мА

Входной пробивной ток

не более 1мА

не более 1мА

не более 1мА

Ток короткого замыкания

-18…-55мА

-18…-55мА

-18…-55мА

Ток потребления при низком уровне выходного напряжения

не более 11мА

не более 22мА

не более 16,5мА

Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения

не более 4мА

не более 8мА

не более 6 мА

Потребляемая статическая мощность на 1 логический элемент

не более 19,7 мВт

не более 19,7 мВт

не более 19,7 мВт

Время задержки распространения при включении

не более 15 нс

не более 15 нс

не более 15 нс

Время задержки распространения при выключении

не более 22 нс

не более 22 нс

не более 22 нс

Перейти на страницу: 1 2

Еще статьи по теме

Переносной радиовещательный приемник второй группы сложности
Радиоприемник является одним из наиболее распространенных радиотехнических устройств, значение которого в экономической, социальной и культурной жизни людей огромно. Более того, любая система радиосвязи немыслима без соответс ...

Проектирование системы передачи дискретной информации
Прошло более 40 лет со времени разработки и внедрения первой отечественной аппаратуры передачи АПД. Потребность в новом виде связи - передаче дискретных сообщений - определилась широким распространением автоматизированных сис ...

Главное меню

© 2020 / www.techsolid.ru