Расчет параметров модели Гуммеля - Пуна

Ток насыщения IS является одним из основных параметров модели транзистора. Он фактически связывает токи эмиттера и коллектора при низком уровне инжекции [2].

Ток насыщения найдем по формуле:

,

(13)

где Sem- площадь эмиттерного перехода; Dnsr- усредненный коэффициент диффузии по электронейтральной области базы; Qbo- удельный встроенный заряд в базе транзистора; q- элементарный заряд.

,

(14)

(14’)

где dpbac - расширение ОПЗ перехода база - коллектор в область базы;dpeba - расширение ОПЗ перехода эмиттер - база в область базы; Hba - глубина активной базы; mn - подвижность вычисленная по формуле (14’) при подстановки в нее Nba(x).

.

(15)

Результаты расчета:

Qbo, Кл/cм2

Dnsr, см2/с

Is, А

1.638*10^-6

34.394

3.418*10^-17

Расчет токов генерации - рекомбинации

Обратные токи эмиттерного и коллекторного переходов представляют собой токи тепловой генерации в ОПЗ соответствующих переходов и рассчитываются по следующим формулам:

;

(16)

,

(17)

где deba, dbac - полные расширения ОПЗ переходов эмиттер - база и база - коллектор соответственно; Sc - площадь перехода база коллектор; tn - усредненное по ОПЗ время жизни электронов в базе, рассчитанное при помощи формул (18) и (19).

;

(18)

,

(19)

где С3=10-5 с; С1=1016 см-3.

Результаты расчета:

ISE, A

ISC, A

1.775*10^-11

6.825*10^-12

Расчет времени пролета носителей заряда через базу

Время пролета неосновных носителей через электронейтральную область базы представляет собой одно из главных ограничений на быстродействие транзистора [2].

Время пролета носителей через базу - есть коэффициент пропорциональности между зарядом основных носителей в базе и током коллектора. Заряд инжектированных носителей Qnb переносит коллекторный ток, который течет через электронейтральную область базы. Соответственно характеристическое время пролета через базу TF, определяющее перенос неосновных носителей через базовую область, есть частное от деления заряда Qnb на ток Ic:

,

(20)

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5

Еще статьи по теме

Полевые транзисторы
Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля , создаваемого входным сигналом. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичн ...

Проектирование беспроводной сети для управляющей компании ЭКС
Беспроводные технологии - одна из наиболее быстро и эффективно развивающихся областей отраслей IT-сферы. Основными преимуществами беспроводной технологии являются: гибкость архитектуры сети; значительная зона покрытия; сжат ...

Главное меню

© 2020 / www.techsolid.ru