Выбор легирующей примеси

Выбор легирующих примесей, используемых при создании структуры транзистора, производится с учетом следующих критериев:

Тип проводимости примеси.

Предельная растворимость примеси в кремнии.

Коэффициенты диффузии примеси в кремнии и оксиде кремния.

Для создания области скрытого коллекторного слоя выберем сурьму, так как она обладает достаточно низким коэффициентом диффузии, что не позволяет ему сильно "разгоняться" во время проведения всех последующих термических операций. Для создания областей p типа используем бор, для областей n типа - фосфор. Эти примеси имеют коэффициент диффузии в кремнии больший, чем в оксиде кремния, что позволяет использовать последний в качестве диффузионной маски.

Еще статьи по теме

Полевые транзисторы
Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля , создаваемого входным сигналом. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичн ...

Разработка универсальной микропроцессорной системы сбора сигналов с заданными параметрами
В металлургии одной из проблем на пути повышения качества производимого продукта, является проблема обнаружения шлака в струе металла, переливаемого из одной емкости в другую (из конвертора или печь-ковша в сталь-ковш, из ста ...

Главное меню

© 2020 / www.techsolid.ru