Выбор транзистора

Необходимо выбрать транзистор, который бы соответствовал требуемым электрическим характеристикам каскада. Предпочтительно использовать кремниевые транзисторы, т.к. они имеют лучшие характеристики при работе в условиях повышенных температур.

Первичный выбор транзистора осуществляется по трём параметрам:кэ-мaкс - максимальное (для данной схемы) значение напряжения на закрытом транзисторе, Pрас-мaкс - максимальная (для данной схемы) мощность рассеяния на транзисторе,

Iк-макс. - максимальный (для данной схемы) ток через коллектор.

Допустимые значения соответствующих параметров выбираемого транзистора, приводимые в справочных материалах, должны быть строго больше указанных величин.

=33.94 (В),

=1.117 (Вт).

Для минимизации токов через транзисторы целесообразно ввести в схему конденсатор Су такой величины, чтобы нагрузка каскада имела активный характер. Для этого контур, образуемый обмотками управления ОУ1, ОУ2 и конденсатором Су, должен быть настроен в резонанс на рабочей частоте питающего напряжения.

Две обмотки управления со средней точкой можно рассматривать как автотрансформатор с коэффициентом трансформации n=0.5. Рассчитаем конденсатор Спр, приведенный к одной обмотке, из условия резонанса с индуктивностью обмотки управления на рабочей частоте Для приведенной емкости получим:

.

Тогда для конденсатора Су справедливо:

Выберем Су = 2,2 (мкФ).

Рассчитаем максимальный ток через коллектор:

Для обеспечения большей линейности характеристик каскада рекомендуется выбирать Rэ таким, чтобы максимальное падение напряжения на нем URэ max равнялось (1 - 1,5) В:

Выберем =1,5 Ом.

По полученным значениям трёх основных параметров из справочника выбирается транзистор, удовлетворяющий условиям:

Этим параметрам соответствует транзистор КТ815Г, в таблице 3 приведены справочные данные на выбранный транзистор.

Таблица 3 - Справочные данные на транзистор КТ815Г

Обозначение

Значение параметра

Описание

30Минимальный статический коэффициент передачи по току при Tк =298К

Iб-const, А

0.5

Постоянный ток базы

Iк-обр, мА

1

Обратный ток коллектора при Tк =373К

Iк-сonst, А

1.5

Постоянный ток коллектора

Pрас-доп, Вт

1

Мощность, рассеиваемая без теплоотвода при Tк =233-298К.

Pрас-т-доп, Вт

12

Мощность, рассеиваемая с теплоотводом при Tк =233-298К

Iб-макс, A

0.5

Максимальный ток базы

Uкэ-доп, B

80

Напряжение коллектор-эмиттер допустимое

Uкэ-нас, B

0,6

Напряжение коллектор-эмиттер насыщения

Uбэ-доп, В

5

Постоянное напряжение база - эмиттер при Tк =213-273К

Т, K

233-373

Температура окружающей среды

Тп-доп, К

398

Максимально допустимая температура перехода

Перейти на страницу: 1 2

Еще статьи по теме

Разработка программно-аппаратной системы адаптивного аналого-цифрового преобразования сигналов звукового диапазона на базе однокристального микроконтроллера
Темой данного дипломного проекта является разработка системы адаптивного аналого-цифрового преобразования (АЦП) на базе однокристального микроконтроллера. Проблема адаптивного аналого-цифрового преобразования в настоящее в ...

Проектирование усилителя низкой частоты активной акустической системы
Целью данного курсового проекта является разработка усилителя звуковой частоты, который будет размещён внутри переносного приемника. Интеграция переносного приемника и усилителя даёт ряд преимуществ: · Универсальнос ...

Главное меню

© 2020 / www.techsolid.ru