Полиимидный носитель с алюминиевыми выводами

Практически все типы ленточных носителей конструктивно имеют три функциональные зоны:

1)внутренняя зона А предназначена для монтажа кристалла. Созданные в ней узкие балочные выводы расположены в соответствии с контактными площадками кристалла БИС;

2)монтажная зона Б служит для присоединения выводов носителя к контактным площадкам коммутационной платы. В ней находятся более широкие балочные выводы, чем в зоне А;

периферийная (измерительная) зона В используется для измерений электрических параметров БИС и технологических испытаний в процессе производства [5].

В отдельных конструкциях ЛН можно выделить четвертую зону, называемую зоной маркировки и перфорации.

На рисунке 5 представлена конструкция полиимидного носителя с алюминиевыми выводами. Четвертая зона в данной конструкции расположена в третьей периферийной, в других конструкциях маркировку располагают в свободных местах измерительной зоны.

Перед сборкой и монтажом на коммутационной плате полиимидный носитель обрезают по краю зоны Б. В угловых участках измерительной зоны расположены три крепежных отверстия Д, предназначенных для закрепления носителя с кристаллом в технологической и измерительной таре.

Угловой участок, свободный от крепежных отверстий, является местом маркировки носителя, угол и сторона расположения места маркировки совпадают с нумерацией первого вывода носителя.

Рисунок 5 Конструкция полиимидного носителя с алюминиевыми выводами для микросхем на 24 вывода: А - внутренняя сторона; Б - монтажная зона; В - измерительная зона; Г - место маркировки; Д - крепежные отверстия

Трехслойный полиамидный носитель с медными выводами (полиимид - адгезионный подслой (Сг) - медь)

Полиимидный носитель с медными выводами (рисунок 6) используется для установки на него кристаллов с объемными выводами. При сборке объемные выводы кристалла присоединяют к балочным выводам, сформированным на носителе.

Технология производства таких носителей предусматривает выполнение следующих операций:

1) осаждение в вакууме пленок Сг - Сu - Сг (толщиной 1,6 - 1,8 мкм);

2) избирательное гальваническое наращивание меди на элементах коммутации (толщиной 20 мкм);

) локальное травление полиимида;

) гальваническое наращивание меди и покрытия олово - висмут (толщиной 4-9 мкм).

Наличие покрытия Sn - Bi у балочных выводов носителя обусловлено необходимостью создания благоприятных условий для монтажа. В конструкции носителя имеются металлизированные отверстия для крепления балочных выводов в зоне монтажа и обеспечения двухстороннего электрического контактирования в измерительной зоне.

В трех углах носителя имеются отверстия размером 1,5x1,5 мм для его установки в тару и крепления на кассету сварочной установки.

Ширина балочного вывода носителя во внутренней зоне А (см. рисунок 6) составляет ~ 200 мкм.

Рисунок 6. Конструкция полиимидного носителя с медными выводами: А - зона монтажа кристалла с объемными выводами; Б - зона монтажа носителя на плату; В - испытательная и измирительнаяя зона; С - переходные отверстия

Для измерения параметров ИМС после присоединения объемных выводов к контактным площадкам кристаллов и разделения полупроводниковой пластины на отдельные кристаллы разработана специальная оснастка: измерительный носитель, являющийся составным элементом измерительной тары (рисунок 7).

Рисунок 7 Конструкция измерительного полиимидного носителя: 1- место маркировки; 2 - крепежное отверстие; 3 - проводник; 4 - переходные отверстия; 5 - полиимид; 6 - базовое отверстие

Двустороннее расположение проводников на носителе связано с необходимостью контактирования носителя с объемными выводами кристалла с одной стороны и зондами контролирующего устройства с другой стороны. Электрический контакт между проводниками на обеих сторонах обеспечивается при помощи металлизированных переходных отверстий диаметром ~ 0,13 мм. В измерительных носителях осуществляют измерение параметров и электротермотренировку ИМС с объемными выводами.

Технология сборки и монтажа бескорпусных ИМС на полиимидных носителях с алюминиевыми выводами (А1-ПН)

Технологический процесс (ТП) сборки предусматривает следующие основные операции:

1) разделение пластин на кристаллы;

2) установку кристалла на гибком носителе.

3) ТП монтажа включает следующие основные операции:

4) присоединение выводов;

5) защиту поверхности кристалла;

) измерение параметров ИМС и электротермотренировку.

7) присоединение выводов к контактным площадкам кристаллов (наиболее трудоемкая и ответственная операция ТП монтажа). Она может быть выполнена с помощью различного оборудования.

Перейти на страницу: 1 2

Еще статьи по теме

Проектирование цифровых систем передачи
Таблица 1 Длина местного участка сети Lм= 100 км Тип ЦСП на местном участке сети ...

Проектирование бескорпусных микросхем на гибких полиимидных носителях
Целью данного реферата является выяснение конструктивно-технологических особенностей сборки и монтажа, выявление технологий сборки, защиты бескорпусных БИС на гибком полиимидном носителе. Также будет рассказано о повышении на ...

Главное меню

© 2019 / www.techsolid.ru