Определить ослабление, которое дает одиночный колебательный контур, имеющий собственную частоту f0 и эквивалентное затухание dэр при заданной расстройке Δf

детектор сигнал диод приемник

Исходные данные:

f0 = 8,7 МГц; dэр = 0,02; Δf = 300 кГц.

Решение

Выражение для относительной расстройки:

Формула для обобщенной расстройки:

где: =

Таким образом:

Далее используя найденную обобщенную расстройку и учитывая, что дан одиночный контур по рисунку определяется искомое ослабление:

Нормированные частотные характеристики для обобщенных расстроек

По графику получим: d

≈ 3,6

Также, для более точного определения ослабления можно вычислить обобщенную расстройку по формуле:

При решении задачи определили ослабление, при одиночном колебательном контуре в котором ослабление является величиной обратной коэффициенту усиления, обобщающим понятием для обоих величин служит коэффициент передачи.

Совокупное измерение - производится с помощью измерения мощности или напряжения исходного и ослабленного сигнала, и последующего расчета.

Резонансный усилитель собран по схеме, изображенной на рис.

Резонансный усилитель

В усилителе применен транзистор КТ315А, входная характеристика которого iб = f(uбэ) допускает кусочно-линейную аппроксимацию с параметрами: S = 0.66 А/В, Uн=0.7 В. Ток коллектора iк связан с током базы iб линейной зависимостью iк = 12 iб. Напряжение источника питания Eпит=70 В. Нагрузкой транзистора является колебательный контур со следующими параметрами: Rрез (относительно точек а-b), коэффициент включения контура в цепь коллектора kвкл = 0.04. Ко входу усилителя приложено напряжение (В)

uбэ = U1 + U2cosωрезt.

Пренебрегая инерционностью процессов в транзисторе и обратным влиянием коллекторного напряжения на ток базы, рассчитайте следующие величины:

а) постоянные составляющие I0б и I0к, а также амплитуды первых гармоник I1б и I1к токов базы и коллектора соответственно;

б) полезную мощность P1вых, выделяемую током первой гармоники в колебательном контуре;

в) мощность Р0, поступающую от источника питания, мощность Рпот, выделяемую в виде теплоты на коллекторе транзистора, а также КПД η усилителя;

г) амплитуды колебательных напряжений Umк на коллекторе и Umкон на колебательном контуре;

д) коэффициент усиления мощности КР.

Исходные данные:

транзистор КТ315А

S = 0,66 А/В;

Uн=0,7 В;

Eпит=70 В;

iк = 12 iб;

kвкл = 0,04;

U0 = U1 = 0,9 В;

Um = U2 = 0,4 В;

uбэ = 0,9 + 0,4cosωрезt

Rрез = 35 кОм.

Решение

а) Определим угол отсечки импульсов тока:

,

Перейти на страницу: 1 2

Еще статьи по теме

Проект реконструкции АТС-354 города Екатеринбурга
С каждым годом пользователи услуг связи становятся все более требовательными к их качеству и количеству. Привлекают персолизированные услуги, соответствующие не только деловым запросам пользователей, их потребностям в инфор ...

Проектирование участка внутризоновой сети связи
В предложенном курсовом проекте необходимо разработать участок взаимоувязанной сети связи РФ с применением систем плезиохронной цифровой иерархии PDH на многомодовом волокне и синхронной цифровой иерархии SDH на одномодов ...

Главное меню

© 2019 / www.techsolid.ru