Сконструировать комбинационную схему проверки на четность 2-х байтовой посылки. Схему выполнить в базисе ТТЛ, используя изоляцию V канавками.
Технологическая норма 2 мкм.
Необходимо сконструировать интегральный транзистор в соответствии конструкционно технологическим вариантом №8, электрические и топологические параметры транзистора приведены в таблице 1.1
Таблица № 1.1.
Конструкционно-технологический вариант №8 |
||||
№ |
Функции слоя |
Тип проводимости |
Толщина, мкм |
Уд. Сопротивление Ом/кв |
1 |
Подложка |
p |
400±40 |
(5±1.0) |
2 |
Скрытый слой |
n+ |
1,6±0.5 |
30±8 |
3 |
Эпитаксиальный слой |
n |
2±0.4 |
(0.6±0.1) |
4 |
Разделительные области |
p+ |
3±0.6 |
25±8 |
5 |
Глубокий коллектор |
n+ |
2.5±0.6 |
25±8 |
6 |
База активная |
p |
0.5±0.15 |
300±60 |
7 |
Эмиттер |
n++ |
0.25±0.05 |
30±6 |
8 |
Защитный слой |
- |
0.6±0.1 |
- |
9 |
Металлизация |
- |
0.7±0.1 |
- |
Проектирование системы передачи дискретной информации
Прошло более 40 лет со времени разработки и внедрения первой
отечественной аппаратуры передачи АПД. Потребность в новом виде связи -
передаче дискретных сообщений - определилась широким распространением
автоматизированных сис ...
Проектирование комбинационной схемы проверки четности 2-х байтовой посылки
Сконструировать комбинационную схему проверки на четность 2-х байтовой
посылки. Схему выполнить в базисе ТТЛ, используя изоляцию V канавками.
Технологическая норма 2 мкм.
Необходимо сконструировать интегральный транзи ...