Полевые транзисторы

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля , создаваемого входным сигналом.

Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность во много раз больше, чем у электронных ламп. За счёт чего транзисторы нашли широкое применение в микроэлектронике - теле-, видео-, аудио-, радиоаппаратуре и в компьютерах. Они заменяют электронные лампы во многих электрических цепях научной, промышленной и бытовой аппаратуры.

Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами - те же, как и у полупроводниковых диодов - отсутствие накалённого катода, потребляющего значительную мощность и требующего времени для его разогрева. Кроме того транзисторы сами по себе во много раз меньше по массе и размерам, чем электрические лампы, и транзисторы способны работать при более низких напряжениях и более высоких частотах.

Но наряду с положительными качествами, триоды имеют и свои недостатки. Как и полупроводниковые диоды, транзисторы очень чувствительны к повышению температуры, электрическим перегрузкам и сильно проникающим излучениям. Основные материалы из которых изготовляют транзисторы - кремний и германий.

полевой транзистор схема параметр

• Устройство полевого транзистора
• Схемы включения полевого транзистора
• Эквивалентная схема полевого транзистора
• Параметры полевого транзистора
• Частотные свойства
• Шумовые свойства
• Тепловые параметры
• Максимально допустимые параметры
• Рекомендации по применению полевых транзисторов.

Еще статьи по теме

Проектирование устройства, осуществляющего обработку входных сигналов
В данной курсовой работе, по дисциплине «Электроника и схемотехника аналоговых устройств», мы приобретаем навыки работы с аналоговыми устройствами. Задачей курсовой работы является углубление знаний, полученных при изучении к ...

Проектирование комбинационной схемы проверки четности 2-х байтовой посылки
Сконструировать комбинационную схему проверки на четность 2-х байтовой посылки. Схему выполнить в базисе ТТЛ, используя изоляцию V канавками. Технологическая норма 2 мкм. Необходимо сконструировать интегральный транзи ...